报告题目：高性能三五族半导体纳米线：从生长到应用

报告人：杨再兴

工作单位：山东大学微电子学院

时间：6月9日星期五上午10点30分

地点：博逸楼401会议室

个人简历：

杨再兴，1984年8月出生，山东大学微电子学院教授、博士生导师、齐鲁青年学者。2012年6月博士毕业于南京大学物理系，并于同年9月赴香港城市大学材料物理系从事博士后研究工作，2016年10月加盟山东大学微电子学院纳电子中心。作为项目首席成功申请到“2017年度国家重点研发计划：量子调控与量子信息重点专项青年科学家项目”。杨再兴教授主要研究半导体材料的不同性能与其自身结构之间的内在关联，设计特定的结构并通过创新合成方法制备出具有优异性能的功能材料：包括开发可替代Si材料的窄带宽、高迁移率III-V族半导体纳米线材料、研发基于III-V族半导体纳米线的高性能光电器件、开发带宽连续可调的II-VI族半导体纳米材料，为光电子与光化学材料的应用奠定了基础。迄今为止共发表SCI论文35篇，包括Nature Communications, Advanced Materials, ACS Nano等一流期刊。已授权中国发明专利4项，并担任多个SCI期刊的审稿人。热烈欢迎优秀学生报考杨再兴教授的硕士及博士生，共同发展、共同提高。Email：zaixyang@sdu.edu.cn。