6月9日上午，山东大学杨再兴教授应邀在博逸楼401会议室为物理科学学院师生作了题为《高性能三五族半导体纳米线：从生长到应用》的学术报告。报告会由王凤云副教授主持，学院30余名师生参加了报告会。
报告中，杨再兴教授首先介绍了一维纳米材料的合成方法和制备机理，接着系统介绍了他的一些主要工作，包括三五族纳米线的合成以及优化合成条件，最终得到了以GaSb为沟道层的场效应晶体管，并利用接触印刷法进一步提高了器件的性能。
报告会结束后，杨再兴教授和学院师生进行了交流和讨论，回答了师生的提问，并介绍了山东大学微纳电子中心的实验条件及今后的研究方向。
杨再兴，山东大学微电子学院教授、博士生导师、齐鲁青年学者。2012年6月博士毕业于南京大学物理系，并于同年9月赴香港城市大学材料物理系从事博士后研究工作，2016年10月加盟山东大学微电子学院纳电子中心。作为项目首席，成功申请到“2017年度国家重点研发计划量子调控与量子信息重点专项青年科学家项目”。杨再兴教授主要研究半导体材料的不同性能与其自身结构之间的内在关联，设计特定的结构特征并通过创新合成方法制备出具有优异性能的功能材料：包括开发可替代Si材料的窄带宽、高迁移率III-V族半导体纳米线材料、研发基于III-V族半导体纳米线的高性能光电器件、开发带宽连续可调的II-VI族半导体纳米材料，为光电子与光化学材料的应用奠定基础等。迄今为止，已发表SCI论文35篇，包括Nature Communications, Advanced Materials, ACS Nano, Nanoscle，ACS Applied Materials & Interface, Scientific Reports等著名期刊。已授权中国专利4项。受邀为多个SCI期刊审稿。
