4月4日晚，我院2015级研究生席中男在博逸楼401会议室作了题为《金属/铁电体/半导体铁电隧道结的制备及其存储性能研究》的学术报告。学院2017级全体研究生聆听了报告。报告会由胡琛老师主持。

席中男从铁电隧道结研究背景，国内外研究进展及其以金属/铁电体/半导体铁电隧道结(MFS-FTJs)为研究对象开展的工作进行了详细论述。通过优化铁电势垒厚度和半导体电极的掺杂浓度，将铁电隧道结的开关比提高至～107,可与当前广泛使用的Flash存储器相媲美。MFS-FTJs具有良好的热稳定性，在383K的高温下，仍具有高达3×105的开关比，这一温度已经超过集成电路器件行业标准工作温度358K。进一步的工作表明基于MFT-FTJs的非破坏性互补阻变开关可以有效抑制无源交叉存储阵列中的串扰电流，使集成度提高了2倍，存储行列数可达530。这些工作结果为 MFS-FTJs的工作机制提供了坚实可靠的依据，能够促进新兴非挥发存储器的研究和实际应用。报告会后，就相关问题与大家进行了讨论交流。

席中男师从温峥特聘教授，研究方向为钙钛矿功能薄膜。截止到目前已发表SCI论文5篇，以第一作者身份在国际顶尖杂志Nature Communications发表论文一篇，在物理学科高水平杂志Applied Physics Letters上发表第一作者论文一篇，此外在工程技术与材料科学综合性杂志ACS Applied Materials and Interfaces上发表第一作者论文一篇。与香港理工大学合作在Physical Review B发表第二作者论文一篇。总影响因子高达27.943。2015.09 获“青岛大学研究生新生学业奖学金”；2016.09 获“青岛大学研究生二等奖学金”；2016.12 获“青岛大学研究生优秀学生”称号；2017.09 获研究生“国家奖学金”；2017.12 获青岛大学“学术之星”称号；2018.03 获“山东省优秀学生”称号。