5月31日上午，印度理工大学焦特布尔分校电气工程系副教授Mahesh Kumar应邀在国家重点实验室315会议室为师生作了题为《2D MoS₂ based fast and low power NO₂ sensor》的学术报告，报告会由赵海光教授主持。

Mahesh教授主要介绍了MoS₂基高性能的NO₂气体传感器的最新研究进展。他首先以NO₂气体对人类与环境的影响出发介绍了气体传感器研究的重要性，然后介绍了多种类型MoS₂基材料的制备（包括MoS₂薄片、MoS₂纳米线、MoS₂-rGO复合材料、MoS₂-MoO₃异质结构等）及其气体传感器的制备与工作原理，重点介绍了利用MoS₂-rGO等复合结构来提高气体传感器的灵敏度的机理，利用协同缺陷和界面工程控制二维材料的电/化学敏化水平，为提高传感器灵敏度开辟了新途径。报告结束后师生就气敏材料的选择与制备、气体传感器的工作原理等问题展开了积极的讨论。

Mahesh，班加罗尔理工学院工程博士，先后在班加罗尔巴拉特电子有限公司中央研究实验室，德国帕德伯恩大学担任科学家，现为印度理工大学焦特布尔分校电气工程系副教授。主要研究方向为：极性和非极性III族氮化物的薄膜和纳米结构、二维材料MoS₂、Algan/Gan Hemts、III-V族半导体的外延生长、半导体带隙工程与表面研究、微型和纳米器件制造等，已在国际著名期刊发表SCI论文80余篇。Mahesh教授先后获得2014年印度青年科学家学会（INSA）奖、印度材料研究学会（Materials Research Society）2016年MRSI奖、原子能部2016年青年成就奖和智能结构与系统研究所2017年ISSS青年科学家奖。2016年，他被评为CrystengComm（RSC）十大杰出评审人之一。他是印度国家青年科学院（2015-2019）的创始成员和主席，全球青年科学院（2017-2022）成员，以及2016年的IEEE高级成员。